(资料图片)

1、k4536场效应管最大耗散功率：40W，ID最大漏源电流：3A，V(BR)DSS漏源击穿电压：900V，RDS(ON)Ω内阻：3Ω，VRDS(ON)ld通态电流：5A，VRDS(ON)栅极电压：10V，VGS(th)V开启电压：2~4V，VGS(th)ld(μA)开启电流：100μA。

2、场效应管属于电压控制型半导体器件。

3、具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象。

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